Sulfur de gal·li(III)
Plantilla:Infotaula compost químic El sulfur de gal·li(III), de fórmula Ga₂S₃, és un compost químic de sofre i gal·li emprat en electrònica i fotònica per les seves propietats semiconductores.
Estructura
El sulfur de gal·li(III) es presenta en quatre formes: l'α (hexagonal), l'α' (monoclínica), la β(hexagonal) i la γ (cúbica). La forma alfa és groga. Totes tenen cristalls amb l'estructura de la blenda de zinc on els cations gal·li(3+) ocupen posicions tetragonals.[1][2][3] Les formes alfa i beta tenen les mateixes estructures que els sulfurs d'alumini.[4]
Propietats
Ga₂S₃ es desproporciona a altes temperatures formant un sulfur no estequiomètric: Ga₄Sx (4.8 < x < 5.2)[4] Ga₂S₃ es dissol en àcids i es descompon en atmosfera de sulfur d'hidrogen.[2]
Preparació
El Ga₂S₃ fou preparat per primera vegada el 1930 per A. Brukl i G. Ortner, de la Universitat de Viena, per reacció directa dels elements a alta temperatura i per W.C. Johnson i B. Warren escalfant gal·li en un corrent de sulfur d'hidrogen a 950 °C.[5]
També pot preparar-se per reacció del clorur de gal·li(III) i sulfur de sodi.[4]
El mètode d'obtenció determina la forma obtinguda. Així la reacció d'hidròxid de gal·li(III) amb sulfur d'hidrogen a diferents temperatures dona lloc a tres formes diferents: l'α a 1020 K, la β a 820 K i la γ a uns 873 K [6]
Referències
Plantilla:Identificadors química
- ↑ Plantilla:Ref-publicació
- ↑ 2,0 2,1 The Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium and Thallium, Anthony John Downs, 1993, Plantilla:ISBN, Plantilla:ISBN
- ↑ Plantilla:Ref-llibre
- ↑ 4,0 4,1 4,2 Plantilla:Ref-llibre
- ↑ Plantilla:Ref-llibre
- ↑ Semiconductors: Data Handbook 3d Ed., Otfried Madelung, Springer, 2004, Plantilla:ISBN