Resultats de la cerca

{{Fabricació de semiconductors}} ...entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 1105 àtoms de llargada.<ref>{{Ref-web|url=https://en.wikichip.org/wiki/600_nm_lithography ...

...xer:20-nanometer_NAND_flash_chip.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 5 nm : No disponible encara !Tecnologia ...

...'''rpm''', '''RPM''' o '''r/min''') o '''voltes per minut''' és una unitat de [[freqüència]], usada sovint per a mesurar la [[velocitat angular]]. En aqu La unitat de [[freqüència]] del [[Sistema Internacional d'Unitats|SI]] és l'[[hertz|hert ...

...7-3930k bottom IMGP3911 smial wp.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 22 nm : Intel core i7 !Tecnologia ...

[[Fitxer:AMD K5 die.JPG|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 350 nm : [[Dau (circuit integrat)|dau]] d'AMD K5 !Tecnologia ...

...Intel_Pentium_III_Coppermine_die.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 180 nm : Intel Coppermine !Tecnologia ...

...ore i7-970 bottom IMGP5961 wp wp.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 32 nm : Intel core i7 !Tecnologia ...

...xer:20-nanometer NAND flash chip.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 10 nm !Tecnologia ...

[[Fitxer:Alpha EV5 die.JPG|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 250 nm : DEC Alpha !Tecnologia ...

[[Fitxer:GEKKO.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 130 nm : IBM Gekko !Tecnologia ...

[[Fitxer:Intel Celeron D.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 90 nm : Intel Celeron D !Tecnologia ...

...xer:20-nanometer_NAND_flash_chip.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 7 nm : No disponible encara !Tecnologia ...

...r:TI_OMAP_DM290ZWV_$4-66A9Y2W_E1.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 65 nm : Texas Instruments OMAP !Tecnologia ...

[[Fitxer:Assaig de duresa Martens.png|miniatura|Assaig de duresa Martens.]] ...tant sobre el diamant. Un cop s'ha ratllat la proveta, es mesura l'amplada de la ratlla: com més ampla sigui, més tou és el material.<br> ...

...110-Hummingbird Nexus S GT-I9023.jpg|miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 14 nm : Samsung Exynos !Tecnologia ...

...Magnetoresistència|efecte magnetoresistiu]] que es produeix en una '''unió de túnel magnètic''' ('''MTJ'''), que és un component format per dos [[Ferroma ...at]] i [[Deposició física de vapor de feix d'electrons|la deposició física de vapor per feix d'electrons]]. Les unions es preparen per [[Fotolitografia ( ...

Un '''sòlid rígid''' és, en [[mecànica]], un cos format per un conjunt de [[punt (geometria)|punt]]s que sempre estan a la mateixa [[distància]] entr ...[[xassís]] serà sempre un sòlid rígid diferent de cadascuna de les rodes i de la cadena que les uneix, ja que cada una d'aquestes parts té moviments dife ...

[[Fitxer:Bandgap_DV.PNG|miniatura|Els transistors han de ser iguals.]] ...proporcionar una tensió coneguda, summament estable enfront de variacions de la tensió d'entrada, temperatura i envelliment. ...

...'''resistència''' i el nombre de corrioles que intervenen en l'aixecament de la resistència. La seva fórmula és: <math>F=\frac{\mbox{Resistència}}{2\cdot \mbox{Nombre de corrioles}}\cdot \text{Gravetat}</math> ...

...txer:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg|miniatura|Fig.1 Comparativa de transistor amb SO2 (esquerra) i High-k (dreta)]] ...//web.archive.org/web/20180218231424/http://www.leb.e-technik.uni-erlangen.de/winterakademie/2005/results/Presentations/High_k_dielectrics.pdf|arxiudata= ...