Resultats de la cerca

=== Transistors d'efecte de camp === ...alors típics de {{Math|''g''_m}} per a un transistor d'efecte de camp de senyal petit són {{Val|1|to|30|u=mS}}. ...

...rtament dels [[MOSFET|transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) d'efecte camp]]. Està pensat per a la simulació de circuits electrònics i per facilitar e * [[Transistor|Models de transistors]] ...

...) és un efecte en [[Transistor d'efecte camp|els transistors d'efecte]] de camp, un escurçament de la longitud de la regió del canal invertit amb un augmen ...el desguàs, la porta ''i el desguàs'' determinen conjuntament el patró del camp elèctric. En comptes de fluir en un canal, més enllà del punt de pessiga, e ...

...ts corrents (I_c÷I_b normalment anomenada β) en alguns transistors bipolars és de 100 o més.<ref>{{Ref-publicació|article=What is bipolar tran ...//www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/bipolar-junction-transistors-bjt/}}</ref> ...

...que amb l'estructura del [[Transistor d'efecte camp|transistor d'efecte de camp]] MOS, per raons històriques, aquesta capa també es coneix sovint com a con ...ondensador d'aquest tipus està present en tots els transistors d'efecte de camp MIS, com ara [[MOSFET|els MOSFET]]. Per a la reducció constant de la mida d ...

...] que utilitza un o més [[Transistor d'efecte camp|transistors d'efecte de camp]] (FET). El tipus més comú d'amplificador FET és l{{'}}'''amplificador MOSF ...

...ges de drenatge, [[Transistor d'efecte camp|font]] i [[Transistor d'efecte camp|massius]] fixats mostrarà un comportament aproximadament logarítmica lineal ...erformance and low-power CMOS technology featuring fully-depleted tri-gate transistors, self-aligned contacts and high density MIM capacitors|títol=2012 Symposium ...

...sita]] entre la sortida i l'entrada de dispositius actius com [[Transistor|transistors]] i [[Tub termoiònic|tubs de buit]] és un factor important que limita el se ...derns com ara la unió bipolar i els [[Transistor|transistors]] d'efecte de camp. ...

...ogia de [[circuit integrat]], o com la capacitat per unitat d'amplada dels transistors de longitud mínima en una tecnologia.<ref>{{Ref-web|títol=Gate capacitance ...

...s valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d'efecte de [[camp elèctric]], aquests valors d'entrada són les [[tensió elèctrica|tensions el [[Categoria:Transistors d'efecte camp]] ...

...ansistors bipolars, també es produeixen unitats de transistors d'efecte de camp.<ref>{{Ref-web|url=https://eng.libretexts.org/Bookshelves/Electrical_Engine ...els primers dispositius, com el CA3080, l'etapa d'entrada constava de dos transistors bipolars connectats en la configuració de l'amplificador diferencial. Les c ...

...squemes d'un amplificador diferencial basat en dos transistors d'efecte de camp (esquerra) i un amplificador diferencial basat en un parell balístic integr ..._field-effect_transistor.png|miniatura|343x343px|Un transistor d'efecte de camp de nanoricinta de grafè (GNR-FET). Aquí els contactes A i B es troben a dos ...

...ques d'amplificadors de [[Transistor d'efecte camp|transistors d'efecte de camp]] (FET) d'una sola etapa, que s'utilitzen normalment com a [[Amplificador b ...

...ques d'amplificadors de [[Transistor d'efecte camp|transistors d'efecte de camp]] (FET) d'una sola etapa, que s'utilitzen normalment com a [[Amplificador b ...

...renatge més altes. En un [[Transistor d'efecte camp|transistor d'efecte de camp]] pla clàssic amb un canal llarg, el coll d'ampolla en la formació del cana ...iu.<ref>{{Ref-llibre|títol=Drain-Induced Barrier Lowering in Short Channel Transistors|url=https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1695-4_9|editorial=Springer US|data= ...

...ques d'amplificadors de [[Transistor d'efecte camp|transistors d'efecte de camp]] (FET) d'una sola etapa, que s'utilitzen normalment com a [[Amplificador e ...

...la seva pròpia variant de GAAFET anomenada MBCFET (transistor d'efecte de camp de canal multipont).<ref>{{Ref-web|url=https://techxplore.com/news/2019-05- ...m ara la longitud de la porta, el pas metàl·lic o el pas de la porta) dels transistors. D'acord amb les projeccions contingudes en l'actualització de 2021 del [[I ...

...na de les tres topologies bàsiques d'amplificadors de [[Transistor bipolar|transistors d'unió bipolar]] (BJT) d'una sola etapa, que s'utilitzen normalment com a [ ...l seu nom. El circuit de [[Transistor d'efecte camp|transistor d'efecte de camp]] anàleg és l'amplificador de [[porta comuna]].<ref>{{Ref-web|títol=15.3: C ...

...cificat. Es va utilitzar a [[transistor d'efecte camp|transistors d'efecte camp]] i [[Vàlvula de buit|tubs de buit]] (té impedància d'entrada infinita i im ...'entrada i un guany especificat. Utilitzat per imitar [[transistor bipolar|transistors bipolars]] (té zero impedància d'entrada i impedància de sortida infinita). ...

...stor d'efecte camp|transistors d'efecte de camps]] són construïts. Aquests transistors tenen una porta de metall situada a sobre d'un aïllant d'òxid, que es troba ...er aconseguir un valor de tensió alt (en binari ''1''), i el subcircuit de transistors NMOS s'anomena de ''pull-down'' i es fa servir per aconseguir un valor de t ...