Fitxer:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

De testwiki
Salta a la navegació Salta a la cerca
Fitxer original (fitxer SVG, nominalment 401 × 235 píxels, mida del fitxer: 7 Ko)

Aquest fitxer prové de Wikimedia Commons i pot ser usat per altres projectes. La descripció de la seva pàgina de descripció es mostra a continuació.

Resum

Descripció
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
Data (UTC)
Font
Autor


Això és una imatge retocada, cosa que vol dir que ha estat alterada digitalment de la seva versió original. Modificacions: translation to german, thickness ratio fixed, colored. L'original es pot veure a: High-k.svg: . Modificacions fetes per Cepheiden.

Llicència

Jo, el titular dels drets d'autor d'aquest treball, el public sota les següents llicències:
w:ca:Creative Commons
reconeixement compartir igual 		Aquest fitxer està subjecte a la llicència Creative Commons Reconeixement-CompartirIgual 3.0 No adaptada. Subjecte a l'avís legal.
Sou lliure de:
  • compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
  • adaptar – fer-ne obres derivades
Amb les condicions següents:
  • reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
  • compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o creeu a partir del material, heu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible amb l'original.
Aquest avís de llicència s'ha afegit a aquest fitxer d'acord amb l'actualització de la llicència GFDL.
GNU head S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License.
Podeu seleccionar la llicència que vulgueu.

Registre original de càrregues

This image is a derivative work of the following images:

  • File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

Uploaded with derivativeFX

Llegendes

Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer

Elements representats en aquest fitxer

representa l'entitat

alçària

235 píxel

amplada

401 píxel

Historial del fitxer

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

Data/horaMiniaturaDimensionsUsuari/aComentari
actual09:52, 20 feb 2010Miniatura per a la versió del 09:52, 20 feb 2010401 × 235 (7 Ko)wikimediacommons>Cepheidensvg fix

La pàgina següent utilitza aquest fitxer:

Obtingut de «https://ca.wiki.beta.math.wmflabs.org/wiki/Fitxer:Common_SiO2_vs_high-k_gate_stack_(DE).svg»