Resultats de la cerca

[[Fitxer:Bandgap_DV.PNG|miniatura|Els transistors han de ser iguals.]] ...nt en els emissors. Així, el valor de la tensió entre els col·lectors dels transistors de la figura ve donada per: ...

...del EKV''' és un model matemàtic que descriu el comportament dels [[MOSFET|transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) d'efecte camp]]. Està pensat per a la simul * [[Transistor|Models de transistors]] ...

...menys d'un [[nanosegon]] (temps de [[Temps de transició|transició]]). Els transistors no dissenyats específicament per a aquest propòsit poden tenir propietats d ...arvtxt|Miller|1955}}. La necessitat d'entendre millor el comportament dels transistors a la regió de trencament de l'allau, no només per al seu ús en mode d'allau ...

=== Transistors d'efecte de camp === De la mateixa manera, en [[Transistor d'efecte camp|els transistors d'efecte de camp]], i en [[MOSFET|els MOSFET]] en particular, la transcondu ...

...ts corrents (I_c÷I_b normalment anomenada β) en alguns transistors bipolars és de 100 o més.<ref>{{Ref-publicació|article=What is bipolar tran ...//www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/bipolar-junction-transistors-bjt/}}</ref> ...

...acitat paràsita entre els components. Degut a la gran miniaturització, els transistors estan cada cop més units, la qual cosa fa augmentar la capacitat paràsita. ...

...s es construeixen amb transistors bipolars, també es produeixen unitats de transistors d'efecte de camp.<ref>{{Ref-web|url=https://eng.libretexts.org/Bookshelves/ ...els primers dispositius, com el CA3080, l'etapa d'entrada constava de dos transistors bipolars connectats en la configuració de l'amplificador diferencial. Les c ...

...silici com a material aïllant en les portes dels transistors. Quan aquests transistors han anat reduint la seva mida, el gruix de la capa de diòxid de silici tamb ...

...>H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", ''Bell Syst. Tech. J.'', vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.</ref> ...>H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", ''Bell Syst. Tech. J.'', vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.</ref> ...

...uctura i, per tant, un condensador d'aquest tipus està present en tots els transistors d'efecte de camp MIS, com ara [[MOSFET|els MOSFET]]. Per a la reducció cons ...acial|esgotament]], acumulació) que també es produeixen en els sistemes de transistors més complexos.<ref>{{Ref-web|títol=SemiGen {{!}} MIS Capacitors|url=https:/ ...

...b acrònim anglès '''CLM''') és un efecte en [[Transistor d'efecte camp|els transistors d'efecte]] de camp, un escurçament de la longitud de la regió del canal inv ...th}</math> és una constant del dispositiu, que reflecteix la realitat dels transistors amb canals llargs.<ref>{{Ref-web|títol=MOSFET Channel-Length Modulation - T ...

...stor d'efecte camp|transistors d'efecte de camps]] són construïts. Aquests transistors tenen una porta de metall situada a sobre d'un aïllant d'òxid, que es troba ...er aconseguir un valor de tensió alt (en binari ''1''), i el subcircuit de transistors NMOS s'anomena de ''pull-down'' i es fa servir per aconseguir un valor de t ...

...ielèctrics de low-k]] (k=2,25) per a reduir les capacitats paràsites entre transistors. ...high-k|dielèctrics de high-k]] per a augmentar la capacitat de porta dels transistors. ...

...sita]] entre la sortida i l'entrada de dispositius actius com [[Transistor|transistors]] i [[Tub termoiònic|tubs de buit]] és un factor important que limita el se ...'aplica als dispositius moderns com ara la unió bipolar i els [[Transistor|transistors]] d'efecte de camp. ...

...mponent de circuit format per ''dispositius actius'', com ara [[Transistor|transistors]], destinats a presentar una alta impedància de [[Modelatge de senyal petit ...na petita caiguda de tensió per mantenir el funcionament (per mantenir els transistors de sortida del mirall en mode actiu). Com a resultat, el mirall de corrent ...

...una nova generació millorada de xips en termes d'augment de la densitat de transistors (un grau més alt de miniaturització), augment de la velocitat i consum d'en ...porta horitzontal com ara nano-anell, filferro hexagonal, cable quadrat i transistors de porta de cable rodó<ref>{{Ref-web|url=https://semiengineering.com/whats- ...

...electrònic|amplificador]] que utilitza un o més [[Transistor d'efecte camp|transistors d'efecte de camp]] (FET). El tipus més comú d'amplificador FET és l{{'}}''' ...

...trada, reacciona donant uns valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d'efecte de [[camp elèctric]], aquests valors d'entrada són les [[tensió el [[Categoria:Transistors d'efecte camp]] ...

...èctrodes (per exemple, díodes) i sistemes de tres elèctrodes (per exemple, transistors).<ref>{{Ref-web|títol=What is Contact Resistance Test & Why is Contact Resi Els tres sistemes d'elèctrodes com els transistors requereixen mètodes més complicats per a l'aproximació de la resistència de ...

Els inversors més moderns han començat a utilitzar formes més avançades de transistors o dispositius similars, com els [[tiristor]]s, els [[triac]]s o els [[IGBT] ...[terra (electricitat)|terra]]. Una circuit lògic s'encarrega d'activar els transistors de manera que s'alternin adequadament. Els inversors d'ona sinusoidal modif ...